晶圓背面減薄設備
全自動8吋減薄機
設備特點
采用兩個主軸，三個工作臺的全自動研磨機，4/5/6/8吋晶圓加工可兼容
Si、SiC等研磨材料均能滿足
為實現高品質研磨加工，主機搭載高功率輸出、高剛性、低振動空氣電主軸；工作臺主軸亦搭載高剛性、低振動、低熱膨脹、回轉精度高的的空氣軸承
配置接觸式測厚模塊，實現閉環系統控制
搭配自主研制的250mm磨輪，有效去除晶圓磨削應力，減少表面損傷，保證芯片強度
設備規格
最大晶圓尺寸 (mm)
200
Z軸分辨率 (μm)
0.1
磨輪主軸功率 (kw)
7.5
磨輪最大轉速 (rpm)
4000
工作臺最大轉速 (rpm)
300
最小加工厚度（μm）
70
單片總厚度偏差TTV (μm)
≤2.5
片與片厚度偏差WTW(μm)
±2.5
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減薄
2024 / 12 / 12
